三星宣布7nm LPP量產！基於（yú）EUV光刻技術、性能增加20%

10月18日早間消息，三星官方宣（xuān）布，已經開始進行7nm LPP（Low Power Plus）工藝芯片的量產工作。

據悉，三星（xīng）的7nm LPP采用EUV光（guāng）刻，機器采購自荷蘭ASML（阿斯麥），型（xíng）號為雙工件台NXE:3400B（光源功率280W），日產能1500片。

簡單來說，EUV使用13.5nm波長的極紫（zǐ）外光曝光矽（guī）片，而傳統的氟化氬(ArF)浸沒式光刻則（zé）是依（yī）靠193nm波長，並（bìng）且需要（yào）昂貴的多模掩模裝置。EUV技術使得使用單個光罩來創建（jiàn）矽晶圓層成為可能，而ArF可能（néng）需要多達4倍的光罩才能創建相（xiàng）同的（de）晶片。也就是說，與非EUV工藝相比，三星的7 LPP工藝可使光罩總數減少約20%，為客戶能夠節省時間和成本。

三星透露，其從2000年（nián）左右（yòu）就著手研究EUV技術（shù）了（le）。

技術指標上，對比10nm FinFET，三星7nm LPP可（kě）實現麵（miàn）積能效（xiào）（同樣複雜度為量綱）提升40%、性能增加20%、功耗降低最多（duō）50%。

三星透露，基於EUV的7nm LPP成功（gōng）量產為其推進（jìn）3nm奠定了基礎、指（zhǐ）明（míng）了道路。產能方麵，主要在韓國華城的S3工廠，2020年前（qián）會在開一條新產線。

目前已知，高通新一代的5G基帶會（huì）采用三星的7nm LPP工藝，看起（qǐ）來驍龍（lóng）8150/8180等SoC希望也很大。