差異化需求持續增長 華（huá）虹半導體去年營收創（chuàng）新高

日前，華虹半導體披露了公（gōng）司2019年全年業（yè）績。公（gōng）告顯示，華虹半導體（tǐ）2019年度的營業收入為9.326億美元，同比增長（zhǎng）0.2%。

報告期內，華虹（hóng）半導體產品毛利率為30.3%，較上年度下降3.1個百（bǎi）分點，主要（yào）由於產能利用率的下（xià）降（jiàng）、人工費用、原材料單位成本及折舊成（chéng）本的上升，部分被平均銷售價（jià）格上（shàng）升所抵銷。值得（dé）提（tí）出的是，2019年是（shì）其毛利率連續第五年保持在30%以上。

另外，華虹半導體當期淨利潤為1.550億美元，上（shàng）年度為1.856億美元；母公司擁有人應占年內溢利為1.622億美元，上年度（dù）為1.832億美元。據悉，該公司在2019年中（zhōng）月產能由174,000片增至201,000片8吋（duò）等值晶（jīng）圓。

華虹半導體稱，期內的業績變化主要是源於技術的創新（xīn）、技術組合的持（chí）續優化、公司產能的擴充，以及半導體市場對本公司差異化技術需求的持續增長，主要包括MCU、超級結、通用MOSFET和IGBT等（děng）產品。

該公司（sī）在財報中還提到，差異化特（tè）色工藝將依然是其2020年的關鍵詞。

8吋工藝平（píng）台方麵，華虹半導體將進一步優化現有95納（nà）米和90納（nà）米等嵌入式非易失性存（cún）儲器技（jì）術，提供更小的存儲器單元、IP模（mó）塊與更精簡的工藝，全方位應對來（lái）自（zì）MCU市場的多重需求；持續開發第四（sì）代超級結技術，並（bìng）針對高質量、車用IGBT導入氫注入工藝、研發逆導型IGBT(RC-IGBT)、SJ-IGBT等新一代功率分立器件技術。

華虹半導體指出，公司（sī）除了追求（qiú）高壓功率器件所需的更高功率密度和（hé）更低損耗，還將更（gèng）精益求精地開發片上集成傳（chuán）感器的智能化IGBT工藝技（jì）術與更（gèng）高可靠性的新型散熱IGBT技（jì）術；加（jiā）大力（lì）度提高（gāo）0.18微米BCD第三代（dài）工藝參（cān）數性能達到業界先進水平（píng）並滿足汽車電子要求，整合0.11微米嵌入（rù）式閃存與BCD技術，達到車規級（jí）應用要求，全麵迎接混動車（chē）、電動車市場對（duì）半導體（tǐ）器件的成長（zhǎng）性需求；推動RF-SOI第四代工藝向更高可靠性與持續量（liàng）產方向發展，為5G等新興市場提供（gòng）新生的中（zhōng）國力量。

另外麵（miàn）對業（yè）界當前重點關注的疫情影響，華虹半導體也對此表示：“由於近期新冠疫（yì）情的不確定影（yǐng）響，市場預測仍存在著諸多未知性。但非常肯定的是，隨著中國本土IC設計公司的逐步成熟，國家政策（cè）的持續支持，創新（xīn）創業型企業快速增加，國內晶圓代工業必將長期處於有利的成長環（huán）境，並保持增長態（tài）勢。”、